纳米CeO2抛光液的制备及其抛光性能研究

摘要：

在水体系中采用沉淀法制备了纳米CeO2粉体,并用XRD、SEM、TEM等对其晶体结构、粒度与形貌等进行了表征.将所得粉体配成水基纳米CeO2抛光液,研究了其抛光硅片的性能与机理,并与纳米SiO2抛光液作对比.结果表明,粒度在100 nm以下的CeO2对硅片具有良好的抛光效果,抛光后硅片表面形貌有很大改观,表面划痕被抛掉,在面积172μm×128μm的范围内得到了表面粗糙度Ra为0.689 nm的超光滑表面.

关键词：纳米CeO2、化学机械抛光、硅片、粗糙度

所属期刊栏目：31

分类号：TG174(金属学与热处理)

在线出版日期：2011-05-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：77-80