10.3969/j.issn.0253-6099.2007.03.021
衬底温度对直流磁控溅射沉积AlN薄膜组织结构的影响
采用直流反应磁控溅射法在不同衬底温度(20~490 ℃)下沉积了AlN薄膜,用XRD分析了薄膜的择优取向,用高分辨场发射扫描电镜来表征了薄膜的表面型貌.实验结果表明,当衬底处在20 ℃冷却的样品台沉积AlN时其上没有晶态的薄膜生成;衬底处于等离子体自加热时,薄膜具有混合的取向;随着温度的升高,薄膜的(002)晶面择优取向度逐渐增大,薄膜的结晶度越来越高,同时更加致密化.当温度到达 400 ℃时,(002)晶面取向度达到最大.温度达到490 ℃时,薄膜再度出现了明显的(100),(101)晶面的衍射峰.
AlN薄膜、衬底温度、择优取向、表面形貌、反应磁控溅射
27
TB43;TB321(工业通用技术与设备)
2007-07-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
82-85