界面生长型小尺寸金刚石聚晶研制

摘要：

在分析国内外钻探用金刚石聚晶应用及性能的基础上,研制开发方形□1×1×1界面生长型金刚石聚晶,具体采用0.05mm钴片或钴铁片(5%铁)扩散工艺,对工艺组装制备及合成工艺条件进行较详细分析论证,建立一种类似美国GE公司产品性能的界面生长型金刚石聚晶合成工艺,采用强酸处理方法进行去除残余金属钴,对合成产品进行电子探针、转靶X射线衍射等分析,研究证明其结构基本是D-D键结合的高晶体,金刚石晶粒之间是D-D键错综连接形成多孔网状结构,产品具备高自锐性和热稳定性,是取代大颗粒天然和人造单晶理想选择,最后对生长机理进行初步分析,并提出界面生长机理,金刚石颗粒在金属Go作用下在晶体界面处以D-D键结合生长过程.

关键词：金刚石聚晶、工艺研究、界面生长、生长机理、热稳定性

所属期刊栏目：26

分类号：TQ164

在线出版日期：2006-04-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：85-87