10.3969/j.issn.0253-6099.2003.02.024
高温热处理和不同基体炭对C/C多孔体熔融渗硅行为的影响
以针刺整体毡为坯体,采用化学气相沉积(CVD)和树脂浸渍/炭化方法(IC)制成C/C多孔体,然后熔融渗硅(MSI)制备了C/C-SiC复合材料,研究了高温热处理(HTP)和不同基体炭对多孔体熔融渗硅行为的影响,并探讨了高温热处理树脂炭对SiC生成量的影响.研究表明:利用CVD→IC混合工艺制备的C/C多孔体,渗硅前高温热处理较炭化的更有利于液硅的渗入;高温热处理使得树脂炭的孔比表面积增加,从而反应生成SiC也多;与热解炭或最后热解炭增密的C/C多孔体相比,树脂炭或最后树脂炭增密的更有利于液硅的渗入.
高温热处理、CVD、树脂浸渍、C/C多孔体、熔融渗硅
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TG15(金属学与热处理)
教育部科学技术研究项目02148
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
77-79,83