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10.3969/j.issn.0253-6099.2001.01.014

添加剂对氢氧化镍电位性能的影响

引用
通过对添加Co、Co+Zn、Co+Cd及不含添加剂的氢氧化镍样品进行粉末微电极循环伏安测试,研究了氢氧化镍的电位性能,并对这些样品进行物理形态结构测试,探索了添加剂对氢氧化镍物理形态结构及电位性能的影响。结果表明:在制备氢氧化镍时加入添加剂,氢氧化镍的颗粒小,BET比表面大,组成颗粒微晶小,微晶间孔隙丰富,XRD图谱中(001)晶面和(101)晶面衍射峰的半高宽(FWHM)值和d001值较大,结合水含量增多,这些结构上的变化有利于氢氧化镍充放电过程中质子扩散,从而改善其电位性能;单纯添加Co对改善氢氧化镍的充电电位性能效果较好,而同时加Co、Zn或Co、Cd可显著改善氢氧化镍的充放电电位性能。

氢氧化镍、添加剂、电位性能、微电极、循环伏安法

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TD(矿业工程)

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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0253-6099

43-1104/TD

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2001,21(1)

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