主族层状低维半导体的偏振光探测器

摘要：

偏振探测在成像、遥感和生物检测等领域具有非常广泛的应用.为了契合光电领域高度集成化的发展目标,偏振光探测器的器件结构需要跳出复杂的检偏器与探测器分离式结构模型,开发新型探测路线.对偏振光天然敏感的主族层状低维半导体可实现直接偏振光探测,实现探测结构的简化.基于Ⅳ族锗系和锡系的低对称性层状半导体在短波近红外具有较高的光响应以及偏振灵敏度,并且基于二维GeSe的偏振光探测器已经实现对近红外实物的二维式扫描偏振成像.基于V族锑系和铋系的层状半导体在可见光波段具有较宽的光谱响应以及低的探测噪声,也已实现偏振成像.基于该两类主族层状低维半导体的偏振成像为未来偏振图像传感技术提供了一种简洁可行的思路.

关键词：主族元素、低维半导体、偏振光探测器、偏振成像

所属期刊栏目：67

分类号：TP391.4;O436.3;TH744

资助基金：国家自然科学基金62125404

在线出版日期：2022-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：1796-1805