N掺杂ZnO的缺陷识别与物性调控

摘要：

ZnO由于其室温下激子稳定存在,因此是一种具备高效发光性能的宽禁带半导体材料,然而,由于ZnO材料本征缺陷种类繁多、性质复杂,且缺乏合适的p型掺杂剂,其出色的光电性能一直未得到应用,近年来,越来越多的研究工作指出,ZnO的材料性质极大程度依赖于其中杂质缺陷的组成,因此对ZnO中缺陷的种类识别和调控手段的研究成为ZnO材料走向应用前待解决的重要问题.本文结合近年来的研究进展,介绍了ZnO中各类本征缺陷的性质和调控手段,指出了N掺杂ZnO体系中受主的主要来源,获得了抑制补偿施主和诱导浅受主的一系列有效方法.在此基础上,提出了等价元素-受主共掺技术,实现了ZnO纳米材料的p型掺杂及同质结LED,并进一步拓展了ZnO纳米材料应用于存储器和宽频光探测器.

关键词：氧化锌、氮掺杂、本征缺陷、p型掺杂、光探测器

所属期刊栏目：65

资助基金：国家自然科学基金;江苏省自然科学基金

在线出版日期：2020-10-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共13页

页码：2708-2720