高分子直接插层构建纳米层状异质结构及高效储能应用

摘要：

二维层状材料,如过渡金属硫化物(TMDs)、过渡金属碳化物或氮化物(MXenes)、六方氮化硼(h-BN)、石墨氮化碳(g-C3N4)、层状金属氧化物等,因具有优异的电学性质和易于加工等特点,在能量转化和存储方面有着广泛的应用前景.然而,体相二维层状材料一般多以层间范德华力作用形成堆叠结构,极大妨碍了材料活性位点的充分暴露和物质/电子在层间的快速传输/传递,严重降低了其性能/功能的释放.为了解决上述问题,需对二维层状材料进行插层剥离,并引入其他活性组分,如导电碳材料等,进行复合处理.通常情况下,插层剂以无机离子和有机小分子为主,插层反应条件相对苛刻且操作过程复杂[1].此外,这类插层剂在洗涤或高温处理时,易于溶解或蒸发脱除,导致插层失效,不利于后续的功能化加工.

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在线出版日期：2020-08-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：1759-1760