低维自旋电子材料的理论设计与调控

摘要：

自旋电子器件利用电子的自旋进行信息的传递、处理与存储,是未来信息技术的重要载体.低维体系具有显著的量子耦合效应,是研究电荷/自旋相互作用机制、发展纳米自旋电子器件的重要载体.由于缺陷、杂质、界面以及边界效应等提供的冗余自由度,使得长程有序磁性体系的制备、维护和调控远无法达到器件化的基本条件,寻找具有高居里温度、高自旋极化率等特性的低维材料是目前面临的挑战.基于密度泛函理论、热动力学模拟等第一性原理方法的计算结果,应用合适的物理统计模型,可以加深对低维材料结构-机制-性能的认识,为自旋电子学材料的发展提供理论支持,并通过应力和电荷掺杂,对低维材料的磁性进行调控.

关键词：低维材料、自旋电子学、第一性原理计算、磁晶各向异性能

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资助基金：国家重点基础研究发展计划2011CB921404,2012CB922001;国家自然科学基金51172223,21421063;中国科学院先导科技专项XDB01020300;中央高校基础研究基金WK2060190025,WK2060140014

在线出版日期：2018-12-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共11页

页码：3442-3452