基于磁性绝缘体的磁子阀效应
摩尔定律由英特尔(Intel)公司创始人之一戈登·摩尔(Gordon Moore)于1965年提出,是指IC上可容纳的晶体管数目约每隔18～24个月便会增加1倍,性能也将提升1倍.在过去的50年里,半导体大规模集成电路得到了飞速的发展,CMOS集成工艺已经发展到5 nm以下,然而原子尺度的物理极限、制程的不稳定性和较大的器件功耗给摩尔定律以及半导体和微电子的可持续发展带来巨大的挑战,摩尔定律将难以为继.面向后摩尔时代的高速和低功耗计算与存储技术发展要求,自旋电子器件为开发下一代具有更小单元尺寸、非易失性、低功耗和高速度的微电子器件提供了一种最具前景的研究方向[1].
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2018-06-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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