氮化镓/硅纳米孔柱阵列紫外光电探测性能

摘要：

紫外光电探测器的研究与开发在工农业生产、环境监测与保护以及国防工业等领域均具有重要的现实意义.本文以硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)为衬底,采用化学气相沉积(CVD)法并通过改变GaN沉积时间,制备了3种GaN/Si-NPA纳米异质结构阵列,并对其表面形貌、化学组成和光致发光特性进行了表征,在此基础上,通过上、下电极制作,制备了结构为ITO/GaN/Si-NPA/sc-Si/Ag的光电探测器原型器件,并对其光电探测性能进行了测量.结果表明,在不施加偏压的情况下,采用优化条件制备的ITO/GaN/Si-NPA/sc-Si/Ag器件能够实现对紫外光的有效探测.器件对340 nm单色紫外光的响应度达到～0.15 mA/W,光响应和恢复时间分别为～0.12和～0.24 s.实验结果对研制新型硅基GaN紫外光电探测器具有很好的借鉴意义.

关键词：硅纳米孔柱阵列、氮化镓、纳米异质结、紫外光电探测器

所属期刊栏目：63

资助基金：国家自然科学基金61176044

在线出版日期：2018-03-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：172-180