二维半导体材料的生长和光电性能研究

摘要：

二维过渡金属硫族化合物纳米材料由于是不同带隙的半导体,同时有些在地球上储量丰富,受到人们广泛的关注.在本文中,介绍了用于二维材料场效应晶体管制备的光刻图形转移技术.该方法可以低成本、简单、有效地获得晶体管,同时对二维材料的损伤较小,可以获得高性能的二维材料晶体管;其次,介绍了Co掺杂MoS2双层纳米片的生长及电学输运研究,可以通过控制生长过程中硫的浓度来改变纳米片的形貌,随着温度的升高,最终可以获得CoS2/MoS2六边形结构,电学测试表明Co掺杂MoS2双层纳米片显n型,而CoS2/MoS2六边形结构具有很高的电导率;还介绍了垂直双层SnS2/MoS2异质结的气相生长及光电性能研究,这种异质结具有很大的带阶,能带结构呈现Ⅱ型,在异质结区域,出现了强烈的光致发光谱淬灭,这种异质结与相应的单体材料相比,具有增强的光电性能.最后,对二维材料的未来研究进行一些展望.

关键词：二维半导体、二硫化钼、气相生长、光电器件

所属期刊栏目：62

资助基金：国家自然科学基金优秀青年科学基金61622406

在线出版日期：2018-06-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：3829-3837