掺杂技术对阻变存储器电学性能的改进

摘要：

本文总结和分析了掺杂技术对阻变存储器性能的改善,实验上,以Cu/ZrO2/Pt器件为基础,分别使用Ti离子、Cu,Cu纳米晶对器件进行掺杂.将掺杂过的器件与未掺杂的器件进行对比,发现掺杂的作用集中在四点:消除电形成过程、降低操作电压、提升电学参数的均一性和提高器件良率.除此之外,使用掺杂还可以提升器件高阻态的稳定性和保持特性.结果表明,掺杂技术是优化RRAM电学性能的有效方法.

关键词：非易失性存储器、阻变存储器(RRAM)、掺杂技术

所属期刊栏目：57

分类号：TP333(计算技术、计算机技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划2010CB934200;2008CB925002;国家自然科学基金60825403;50972160;国家高技术研究发展计划2008AA031403;2009AA03Z306

在线出版日期：2012-07-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：314-319