标准CMOS工艺下单片集成MSM光电探测器的2Gb/s光接收机
在标准互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)工艺下设计了1种单片集成金属-半导体-金属(metal-semiconductor-metal,MSM)光电探测器的光接收机.带有源反馈和负米勒反馈电容的跨阻前置放大器用来提高光接收机的带宽.由于MSM光电探测器具有较高的响应度,所以光接收机的灵敏度得到改善.由于MSM光电探测器的寄生电容较小,在特许半导体0.35 μm工艺下实现了带宽为1.7 GHz的光接收机.测试结果表明,在-15 dBm的光功率和误码率为10-9的条件下,光接收机的数据传输速率达到了2 Gb/s.在3.3 V电压下,芯片的功耗为94 mW.
光接收机、跨阻放大器、MSM光电探测器、CMOS
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TN36(半导体技术)
国家自然科学基金61036002;天津市自然科学基金重点项目11JCZDJC15100;国家重大专项2010ZX03007-002-03;国家高技术研究发展计划2009AA03Z415
2011-08-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
881-885
