含有p-GaN纳米阵列的InGaN/GaN双异质结太阳能电池的制作

摘要：

提出了一种提高p-GaN/i-InGaN/n-GaN双异质结太阳能电池外量子效率的方法,即将p-GaN刻蚀成纳米阵列结构.我们使用Ni退火形成微结构掩模,通过感应耦合等离子体(ICP)将p-GaN刻蚀纳米阵列结构.同时,提出了两步刻蚀n-GaN台面的制作工艺,以此在形成p-GaN纳米阵列结构时获得光滑的n-GaN层表面,以此改善后续金属电极的沉积.经测试,含有p-GaN纳米阵列结构的电池峰值外量子效率可达55%,比常规p-GaN膜层基InGaN/GaN太阳能电池的外量子效率提高了10%.

关键词：纳米阵列结构、InGaN/GaN双异质结、太阳能电池、外量子效率

所属期刊栏目：56

分类号：TM914.4

资助基金：国家重点基础研究发展计划2007CB936701;苏州高效太阳能电池技术重点实验室ZXJ0903

在线出版日期：2011-08-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：174-178