应力下OsSi2电子结构和光学特性研究

摘要：

采用基于第一性原理的密度泛函理论(Density Functional Fheory)赝势法,对各向同性形变下OsSi2的电子结构、态密度和光学性质进行了理论计算.计算结果表明,当晶格常数从96%,100%,104%依次进行各向同性形变时,OsSi2的带隙逐渐减小.当晶格参数被压缩到原来的96%时,OsSi2的间接带隙值Eg=0.928 eV,当晶格参数被拉伸到原来的104%时,OsSi2的间接带隙值Eg=0.068 eV.其光学特性曲线向低能方向漂移,晶格拉伸使得OsSi2的静态介电函数增大而压缩使其减小;晶格压缩可以使其吸收响应增强,进而提高光电转换效率.

关键词：OsSi2、第一性原理、应力、电子结构、光学特性

所属期刊栏目：55

分类号：O6(化学)

资助基金：国家自然科学基金60766002;贵州省优秀科技教育人才省长专项基金Z0531 14;贵州省委组织部高层人才科研资助项目Z053123;科技部国际合作专项2008DFA52210;贵州省信息产业厅项目0831

在线出版日期：2011-05-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：746-751