超导HEB混频器的设计与制备
展示了一种基于超导NbN薄膜材料的HEB混频器的设计与制备工艺,详细介绍了高阻硅衬底上的超薄NbN薄膜的生长技术、HEB器件的结构、超导微桥区和平面等角螺旋天线的阻抗匹配等内容.测量研究了超导NbN HEB的电阻.温度(R-T)曲线、不同温度下的电流-电压(I-V)曲线以及HEB对太赫兹(THz)信号的响应特性.用Y因子方法测量了HEB器件的噪声温度,在2.5 THz的太赫兹波辐照下,其最低噪声温度为2213 K.
HEB、超薄NbN薄膜、平面等角螺旋天线、噪声温度
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TN77(基本电子电路)
国家高技术研究发展计划863计划2006AA122120;国家重点基础研究发展规划973计划2006CB601006;2007CB310404
2009-06-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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