利用电子束光刻技术实现200 nm栅长GaAs基MHEMT器件

摘要：

电子束光刻(electron beam lithography)技术是实现微细栅长的光刻技术之一,利用电子束光刻技术制备出200 nm栅长GaAs基MHEMT器件.同时为了减少栅寄生电容和寄生电阻,采用3层胶工艺,实现了T型栅.GaAs基MHEMT器件获得了优越的直流、高频和功率性能,电流增益截止频率和最大振荡频率分别达到105和70GHz,为进一步研究高性能GaAs基MHEMT器件奠定了基础.

关键词：电子束光刻、应变高电子迁移率晶体管、T型栅、电流增益截止频率

所属期刊栏目：53

分类号：TN1(真空电子技术)

资助基金：国家重点基础研究发展规划973计划G2002CB311901;装备预先研究项目61501050401C;中国科学院微电子研究所所长基金06SB124004

在线出版日期：2009-04-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：593-597