10.3321/j.issn:0023-074X.2007.07.006
四针状纳米ZnO场发射性能及H2热处理效应
通过热蒸发反应沉积的方法制备了大面积的四针状ZnO纳米结构材料.四针状纳米结构具有细小的尖端尺寸,为六方纤锌矿晶体结构.在不同极间距下测试了样品的场发射性能,其开启电场约为3.7V/μm,并利用Fowler-Nordheim方程对场发射特征进行了分析.进一步采用在H2气氛中退火的方法优化了四针状纳米ZnO材料的场发射性能,降低了开启电压.研究结果表明,四针状纳米ZnO体现出较低的开启电压和高的发射电流密度,是具有广泛应用前景的冷阴极场发射材料.
场发射、ZnO、热处理、纳米材料
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TN3;TQ3
国家自然科学基金50325209;国家自然科学基金50572005;国家自然科学基金50620120439
2007-10-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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763-765