纳米SiC掺杂MgB2超导带材的制备及其性能研究

摘要：

采用粉末装管法制备了SiC掺杂的MgB2带材系列样品.通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜和超导量子干涉仪等仪器对样品进行了表征.实验结果表明,SiC掺杂对于提高MgB2带材的超导性能具有十分有效的作用.掺杂量为5%时,在4.2 K和10 T条件下,掺杂样品的临界电流密度高达9024 A/cm2,是未掺杂样品的32倍多.掺杂样品在高磁场下具有良好的临界电流性能主要归因于C对B的替代所产生的晶格畸变、位错等缺陷和局部成分变化而导致的有效晶内钉扎作用,同时由于掺杂而提高的晶粒连接性也对临界电流密度的提高起到一定作用.

关键词：MgB2带材、SiC掺杂、临界电流性能、机理

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分类号：O6(化学)

资助基金：国家自然科学基金50472063;50377040;国家重点基础研究发展计划973计划2006CB-601004

在线出版日期：2007-01-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：2598-2601