CMP中接触与流动关系的分析

摘要：

分别考虑抛光垫基体和粗糙峰变形建立化学机械抛光(chemical mechanical polishing/planarization,CMP)的一维两层接触模型和抛光液流动模型,分析了CMP中接触压力和流动的关系,利用数值方法模拟了抛光垫基体和粗糙峰变形情况,以及接触压力和流体压力的分布情况.分析表明在晶片入口区附近形成了发散间隙,从而抛光液流体出现负压,在晶片边缘形成了高应力集中导致的过度抛光,解释了CMP的这两个基本特征.

关键词：化学机械抛光、接触压力、流体负压

所属期刊栏目：51

分类号：TP3(计算技术、计算机技术)

资助基金：国家自然科学基金50390060;北京交通大学校科研和教改项目2004SM041

在线出版日期：2006-10-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1961-1965