电感耦合等离子体CVD室温制备的纳米Si薄膜场电子发射研究

摘要：

利用电感耦合等离子体化学气相沉积在室温下制备了Si薄膜,用拉曼谱对样品的结构进行了表征,502 cm-1附近散射峰的出现说明在样品中形成了纳米结晶相. 用原子力显微镜观察样品表面形貌发现,在合适的等离子体条件下制备的样品,其表面由随机均匀排列的高密度Si锥组成,Si锥的高度为30～40 nm,底面平均直径约为200 nm. 场电子发射测量结果显示样品具有良好的电子发射特性,开启电压为7～10 V/μm.

关键词：ICP-CVD、纳米行Si锥、场电子发射、低温生长

所属期刊栏目：51

分类号：O4(物理学)

资助基金：中国科学院资助项目10175030;甘肃省科技攻关项目4WS035-A72-134

在线出版日期：2006-03-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：251-254