超精密表面抛光材料去除机理研究进展

摘要：

化学机械抛光(Chemical-Mechanical Polishing,简称CMP)是目前提供全局平面化最理想的技术,在超精密表面加工领域得到了大量研究和应用.概述了超大规模集成电路(Ultra-large Scale Integration,简称ULSI)多层布线中硅片、介电层和金属材料以及磁头/硬盘片化学机械抛光材料去除机理的研究现状和发展趋势,重点评述了化学机械抛光过程中抛光液研磨颗粒与抛光片表面间相互作用机制,并提出了材料去除机理的研究方法.

关键词：CMP、材料去除机理、磨损、ULSI、计算机硬盘

所属期刊栏目：49

分类号：TG1(金属学与热处理)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划2003CB716201;国家自然科学基金50390060

在线出版日期：2004-10-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1700-1705