10.3321/j.issn:0023-074X.2002.24.005
室温铁磁性半导体MnxGa1-xSb
采用离子注入、离子淀积及后期退火方法制备了稀磁半导体单晶MnxGa1-xSb, 在室温下(300 K)获得了单晶的磁滞回线. 用X射线衍射方法分析了铁磁性半导体单晶MnxGa1-xSb的结构, 用电化学C-V法分析了单晶的载流子浓度分布. 由X射线衍射得知, MnxGa1-xSb中Mn含量逐渐由近表面处的x = 0.09下降到晶片内部的x = 0. 电化学C-V测得单晶的空穴浓度高达1×1021 cm-3, 表明MnxGa1-xSb单晶中大部分Mn原子占据Ga位, 起受主作用.
MnxGa1-xSb、铁磁性、稀磁半导体
47
TN3(半导体技术)
国家自然科学基金60176001;国家重点基础研究发展计划973计划G20000683,G20000365
2004-03-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共2页
1863-1864