电化学C-V法研究磁性GaMnSb/GaSb单晶的载流子浓度纵向分布

摘要：

采用电化学C-V方法和Tiron电解液研究了GaMnSb/GaSb单晶载流子浓度的纵向分布, 所得结果与Hall测量结果和X射线衍射分析结果一致. 研究结果表明GaMnSb单晶中的Mn原子替代了GaSb中部分Ga原子的位置, 并在GaSb中形成了浅受主能级.

关键词：电化学C-V、磁性半导体、GaMnSb

所属期刊栏目：47

分类号：TN3(半导体技术)

资助基金：国家攀登计划PAN95-YU- 34;国家重点基础研究发展计划973计划G20000683,G20000365;国家自然科学基金60176001

在线出版日期：2004-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：1299-1301