磁性多层膜中SiO2/Ta界面反应及其对缓冲层的影响

摘要：

磁性多层膜常以金属Ta作为缓冲层. 利用磁控溅射方法在表面有300 nm 厚SiO2氧化膜的单晶硅(100)基片上沉积了Ta/NiFe/Ta薄膜. 采用X射线光电子能谱(XPS)对该薄膜进行了深度剖析, 并且对获得的Ta 4f和Si 2p的高分辨XPS谱进行计算机谱图拟合分析. 结果表明在SiO2/Ta界面处发生了化学反应: 15 SiO2 + 37 Ta = 6 Ta2O5 + 5 Ta5Si3, 该反应使得界面有"互混层"存在, 从而导致诱发NiFe膜(111)织构所需的Ta缓冲层实际厚度的增加.

关键词：SiO2/Ta界面、界面反应、X射线光电子能谱

所属期刊栏目：47

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金19890310;北京市自然科学基金2012011

在线出版日期：2004-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：978-980