10.3321/j.issn:0023-074X.2002.06.005
SmOx/Rh(100)模型表面的制备与性质
应用Auger电子能谱(AES), X射线光电子能谱(XPS)和程序升温热脱附谱(TDS)研究了SmOx / Rh(100)模型表面的制备及CO在该表面的吸附. Sm和氧的强亲合作用引起了Sm在表面的强烈偏析. 氧化表面的高温热处理, 导致SmOx在Rh(100)表面的进一步聚集. 与120 K吸附在清洁Rh(100)表面的CO的热脱附谱相比较, 吸附在SmOx / Rh(100)表面的CO的热脱附谱中在176, 331和600 K出现了新的脱附峰. 其中位于176 K的脱附峰可归属于吸附在SmOx岛上的CO的脱附, 而位于331, 600 K的脱附峰的出现与表面Sm原子的氧化程度有关, 可分别归属为吸附在富氧和贫氧SmOx岛周边界面Rh原子上的CO的脱附.
Rh(100)表面、SmOx膜、CO吸附、AES LEED XPS TDS
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O64(物理化学(理论化学)、化学物理学)
国家自然科学基金29873042;催化基础重点实验室基金
2004-03-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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