10.3321/j.issn:0023-074X.2001.14.008
用模板法制备取向Si纳米线阵列
用化学气相沉积(CVD)技术,在阳极氧化铝模板的有序微孔内,制备了高度取向的多晶Si纳米线阵列.用原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)分别观察了模板及Si纳米线阵列的表面、断面形貌及单根Si纳米线的显微结构,用X射线衍射仪(XRD)分析了Si纳米线阵列的晶体结构.此方法制备出的Si纳米线阵列生长方向高度有序,直径和长度易于控制,较少发生周期性不稳定生长而产生的弯曲和缠绕现象,相对其他方法具有工艺简单、成本低、可控性强、易实现大面积生长等优点.
Si纳米线阵列、化学气相沉积(CVD)、阳极氧化铝模板(AAO)
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O6(化学)
国家自然科学基金69890220,69871013
2004-03-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
1172-1176