超薄坡莫合金薄膜

摘要：

基于辉光放电原理在超高本底真空下制备了Ni81Fe19(12 nm)超薄薄膜,其各向异性磁电阻(AMR)变化率达到1.2%,而矫顽力却只有127 A/m同较低本底真空下制备的Ni81Fe19薄膜进行结构比较表明:超高本底真空下制备的Ni81Fe19薄膜表面光滑、平整、起伏小,薄膜致密,结构缺陷较少;而较低本底真空下制备的Ni81Fe19薄膜表面粗糙、起伏大,薄膜较疏松、不均匀,结构缺陷较多.

关键词：NiFe薄膜、各向异性磁电阻、矫顽力、结构

所属期刊栏目：46

分类号：TB3(工程材料学)

在线出版日期：2004-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1136-1140