10.3321/j.issn:0023-074X.2001.13.020
超薄坡莫合金薄膜
基于辉光放电原理在超高本底真空下制备了Ni81Fe19(12 nm)超薄薄膜,其各向异性磁电阻(AMR)变化率达到1.2%,而矫顽力却只有127 A/m同较低本底真空下制备的Ni81Fe19薄膜进行结构比较表明:超高本底真空下制备的Ni81Fe19薄膜表面光滑、平整、起伏小,薄膜致密,结构缺陷较少;而较低本底真空下制备的Ni81Fe19薄膜表面粗糙、起伏大,薄膜较疏松、不均匀,结构缺陷较多.
NiFe薄膜、各向异性磁电阻、矫顽力、结构
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TB3(工程材料学)
2004-03-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
1136-1140