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10.3321/j.issn:0023-074X.2001.01.005

Co纳米线阵列膜热处理前后的结构与磁性研究

引用
在具有纳米级孔洞的多孔氧化铝模板上,用电化学方法成功地制备出钴纳米线有序阵列复合膜.分别用透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)、选区电子衍射(SAED)、X射线衍射仪和振动样品磁强计(VSM)对样品进行了测试表征.形貌和物相分析表明,模板中的Co纳米线均匀有序,彼此独立,相互平行.每根纳米线由一串微晶粒构成.Co纳米线属六方密堆积结构,有很好的结晶取向,晶体的c轴沿纳米线轴定向排列.热处理能优化Co纳米线的结晶取向.磁性研究显示,纳米线长到一定程度后,长度的增加不再影响它的矫顽力.纳米线短和纳米线长时,存在两种不同的磁化反转机制.对短纳米线,磁化反转机制为旋转型.在这种机制中,热处理导致矫顽力增大.对长纳米线,反磁化机制为畴壁位移.在这种机制中,热处理引起矫顽力减小.微磁学计算模拟证明了它们的磁化反转机理.

多孔阳极氧化铝、电沉积、热处理、物相分析、矫顽力、磁化反转机制、反磁化核

46

O64(物理化学(理论化学)、化学物理学)

国家自然科学基金69890220

2004-03-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

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