Ta/NiO/NiFe/Ta的磁性及界面的结构

摘要：

利用磁控反应溅射方法以Ta作为缓冲层制备了Ta/NiO/NiFe/Ta薄膜, 磁性分析表明, 该结构薄膜的交换耦合场为9.6×103 A/m, 但是所需NiO的实际厚度增加了. 采用X射线光电子能谱研究了Ta/NiO/Ta界面, 并进行计算机谱图拟合分析. 结果表明界面反应是影响层间耦合的一个重要因素. 在Ta/NiO界面处发生了反应: 2Ta + 5NiO = 5Ni + Ta2O5, 使得界面有"互混层"存在. X射线光电子能谱深度剖析表明Ni + NiO的混合层厚度约8～10 nm, 从而导致NiO钉扎实际厚度增加.

关键词：NiO、界面反应、X射线光电子能谱

所属期刊栏目：45

分类号：O6(化学)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划19890310

在线出版日期：2004-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：1819-1821