GLTGS晶体生长及其热释电性能

摘要：

根据结构与性能的关系, 选择胍基乙酸作为掺质, 采用水溶液降温法生长了GLTGS晶体, 发现掺质的存在使晶体的生长形态、单胞参数和解理性均发生了变化. 对所生长晶体的热释电性能进行了系统测量. 结果表明, 掺质显著地增强了晶体的热释电效应, 与纯TGS晶体相比, GLTGS晶体在20- 30℃的温度范围内, 热释电系数增加了49.3%- 55.8%, 品质因子增加了35.4%- 49.3%. 另外, 经过测量晶体的电滞回线发现, 在相同条件下, GLTGS晶体的矫顽电场比纯TGS晶体约增大一倍.

关键词：GLTGS晶体生长、热释电系数、品质因子、矫顽电场

所属期刊栏目：45

分类号：O7(晶体学)

在线出版日期：2004-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1263-1267