极性晶体的生长习性

摘要：

采用配位多面体生长习性法则研究了极性晶体ZnO, ZnS和SiO2的理论生长习性. 发现其正负极轴方向的生长速度不同. ZnO晶体的理论习性为六方柱状,各晶面的生长速度为:V〈0001〉>V〈01īī〉>V〈01ī0〉>V〈01ī1〉>V〈000ī〉;ZnS晶体的理论习性为四面体,各晶面的生长速度为:V〈111〉>V〈001〉=V〈100〉=V〈010〉＞V〈īīī〉;SiO2晶体的正负极轴方向的生长速度为V〈ī20〉>V〈11(2)0〉. 此结果与在水热条件下观察到的生长习性符合得相当好. 而PBC理论不能解释正负极轴方向生长速度的差异.

关键词：ZnO晶体、ZnS晶体、SiO2晶体、生长习性

所属期刊栏目：44

分类号：O7(晶体学)

在线出版日期：2004-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：2388-2392