KDP晶体生长工艺研究

摘要：

利用水溶法生长了KDP单晶体,系统论述了晶体生长装置和工艺各个过程.指出生长均匀、无缺陷KDP单晶体工艺过程中的注意的事项.实验表明晶体生长过程中溶液的纯度不高,会造成籽晶以外的溶液体系其他部位大量成核;pH值过高,生长的晶体会出现楔化现象,过低则影响生长速率,实验测得pH值为2.2;50℃的晶体退火温度能有效消除晶体内部的热应力,提高晶体的光学均匀性.同时籽晶的切向、温度控制的准确性等因素有效避免晶体生长过程中出现的生长层、晶面花纹等缺陷.

关键词：KDP晶体、晶体生长、籽晶、非线性光学晶体

所属期刊栏目：33

分类号：TQ17

资助基金：KDP晶体生长与人工宝石的生长工艺研究kk20200627005

在线出版日期：2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：20-23