不同衬底上La0.5 Sr0.5 CoO3薄膜生长及导电性质的研究

摘要：

用脉冲激光沉积法(PLD)分别在Si(100),SiO2/Si(100),LaAlO3衬底上制备了La0.5Sr0.5CoO3薄膜.在LaAlO3衬底上实现了La0.5Sr0.5CoO3薄膜的近外延生长,薄膜的电阻率最低.这是由于LaAlO3的晶格常数与La0.5 Sr0.5 CoO3最为接近.在SiO2/Si(100)衬底上生长的La0.5 Sr0.5CoO3薄膜的电阻较Si(100)衬底上薄膜小,XRD表明SiO2/Si(100)衬底更易于薄膜的择优生长.

关键词：脉冲激光沉积法(PLD)、电阻率、钙钛矿氧化物

所属期刊栏目：31

分类号：TF16(冶金技术)

资助基金：云南省教育厅资助项目5Y0663D

在线出版日期：2006-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：12-14,18