烧结温度对无压烧结碳化硅陶瓷微观结构及性能的影响

摘要：

以B4C为烧结助剂无压烧结制备碳化硅陶瓷。研究了烧结温度与碳化硅烧结体密度、三点抗弯强度、维氏硬度之间的关系，并对不同温度下制备的碳化硅陶瓷进行了显微结构形貌观察。结果表明：当烧结温度在2100℃附近时，碳化硅陶瓷的密度达到3.16 g/cm3，相对密度超过98%，微观形貌观察均匀致密，三点抗弯强度达到500 MPa，维氏硬度为2750，具有较好的力学性能。

关键词：碳化硅陶瓷、无压烧结、显微结构、性能

分类号：TQ174

资助基金：浙江省工程技术研究中心建设计划2013E10033；中国科协企会创新计划资助项目。

在线出版日期：2016-07-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：54-56