不同生长模式对AlN薄膜质量的影响

摘要：

采用传统生长模式和脉冲生长模式开展了蓝宝石衬底上AlN薄膜外延生长研究。通过XRD、透射谱、Raman等分析手段，研究了不同生长模式对AlN薄膜质量的影响，研究发现采用脉冲生长模式的样品与采用传统生长模式的样品相比，晶体质量显著地提高，AlNω(102)的FWHM从2093 arcsec减少到835 arcsec，有效的限制了深能级缺陷。由于采用脉冲生长模式样品中的位错密度较小，所以样品中的残余应力略有提高。研究结果表明脉冲生长模式能有效的提高蓝宝石衬底上AlN晶体质量。

关键词：AlN、传统模式、脉冲模式、XRD

分类号：TN451(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2014-08-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：104-106