CdS纳米粒子自组装体系I-V特性的数值模拟

摘要：

对形成室温单电子器件的典型串联双隧道结结构模型利用求解含时薛定谔方程计算了其隧穿电流与偏压的关系.对CdS纳米粒子自组装体系在室温下的I-V特性进行了计算机模拟,结果与实验符合得较好.该方法对于进一步指导纳米电子器件的实验及其原型化有重要意义.

关键词：纳米粒子、隧穿、薛定谔方程

所属期刊栏目：16

分类号：TN40(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：中国科学院资助项目69771011;69890227;教育部霍英东教育基金

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：330-334