脉冲激光诱发130 nm体硅CMOS器件的单粒子闩锁效应

摘要：

基于130nm体硅CMOS工艺,设计了具有不同阱/衬底接触与MOS管有源区间距、NMOS有源区与PMOS有源区间距的反相器链,利用脉冲激光试验开展了不同设计和不同工作电压下CMOS电路的单粒子闩锁效应敏感性研究.结果表明,随着阱/衬底接触与MOS管有源区的间距减小,以及NMOS与PMOS有源区间距的增大,电路抗SEL效应能力增强.此外,不同工作电压下电路的SEL效应规律表明,电压越大,反相器电路的SEL电流越大,且随着阱/衬底接触与MOS管有源区间距的减小以及NMOS与PMOS有源区间距的增大,电路出现SEL效应的开启电压增大.结合CMOS中寄生结构和单粒子闩锁效应触发机制,分析了相关因素影响电路单粒子闩锁效应敏感性的内在机制.

关键词：单粒子闩锁效应;CMOS;脉冲激光

所属期刊栏目：41

分类号：V216(基础理论及试验)

资助基金：国家自然科学青年基金项目资助Y85032A020

在线出版日期：2021-09-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：648-653