球形收集极结构的二次电子产额测量装置及测量方法
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3969/j.issn.1674-7135.2022.04.008

球形收集极结构的二次电子产额测量装置及测量方法

引用
为了精确测量材料在不同入射电子能量和入射电子角度下的二次电子产额(secondary elec-tron yield,SEY)以及二次电子能谱,研制了收集极为球形结构的SEY测量装置.首先介绍了装置的构成、测量原理及中和方法,并对测得的信号波形进行了分析.随后,测量了Cu材料和Al2 O3薄膜材料的SEY值和二次电子能谱.结果表明:不同入射电子能量下SEY值的标准偏差分别小于0.055(Cu)和0.126(Al2O3);不同入射电子角度下SEY值与理论模型符合的很好,拟合R2值为0.99864(Cu);出射的二次电子能量绝大部分集中在10 eV(Cu)和20 eV(Al2 O3)以下,符合相关理论预期.

二次电子产额、球形收集极、能谱、表面电荷中和

19

O462;V443(真空电子学(电子物理学))

国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家重点实验室基金

2022-10-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共8页

64-71

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

空间电子技术

1674-7135

61-1420/TN

19

2022,19(4)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn