一种高压PMOS器件低剂量辐照效应分析

摘要：

对MOS器件总剂量辐照机理的研究,多从γ射线在SiO2中产生电子-空穴对,以及γ射线作用在SiO2-Si界面上产生新生界面态方面出发,分析γ射线对MOS器件的阈值影响,但很少分析y射线对高压MOS器件漏源击穿电压的影响.文章针对低剂量γ射线对高压PMOS器件中漏源击穿电压的作用进行综合分析;重点研究了低剂量辐照情况下高压PMOS器件的漏源击穿电压特性相对于常规剂量辐照后的变化.研究表明:低剂量的γ射线会引起高压PMOS器件漏源发生严重漏电;高压PMOS器件版图设计不当时,长期的低剂量γ射线会引起高压CMOS集成电路发生功能失效的风险.

关键词：高压PMOS器件、低剂量辐照、PMOS版图、漏源击穿电压

所属期刊栏目：16

分类号：V474(航天器及其运载工具)

在线出版日期：2019-09-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：79-82