65nm体硅CMOS工艺抗辐射触发器单元单粒子翻转效应研究

摘要：

介绍了一种采用M照试验,GEO轨道预估结果uller-C单元作为输出级的DICE结构触发器,设计了相应的单粒子翻转效应验证电路,以及单粒子效应试验软、硬件系统来对加固效果进行验证.利用北京HI-13加速器进行了Cl、Ti、Cu、Br、I和Au等多种重离子辐照试验,GEO轨道预估结果表明DICE结构触发器单粒子翻转率(2.37×10-10 upsets/bit/day)明显小于普通结构触发器单粒子翻转率(2.15×10-8upsets/bit/day),该单粒子翻转效应验证电路及试验系统取得了预期的效果.

关键词：DICE触发器、单粒子翻转、验证电路、辐照试验

所属期刊栏目：14

分类号：V443(航天仪表、航天器设备、航天器制导与控制)

在线出版日期：2017-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：71-74,84