基于130 nm CMOS工艺抗单粒子翻转和单粒子瞬态加固技术研究

摘要：

在空间辐射环境下,CMOS集成电路易受到单粒子翻转和单粒子瞬态的影响,可导致器件功能异常。文章首先分析了几种典型的加固技术,并从触发器的电路结构和物理版图出发,提出了一种基于130nm CMOS工艺抗单粒子翻转和单粒子瞬态脉冲的触发器单元加固设计方法。并结合设计方法,实现了抗辐射加固触发器的设计,通过仿真分析验证了设计的正确性。

关键词：触发器、单粒子翻转、单粒子瞬态、抗辐射加固

所属期刊栏目：13

分类号：TP2;TQ5

在线出版日期：2016-09-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：63-67