10.3969/j.issn.1674-7135.2015.06.008
星载数字ASIC抗辐射加固设计与实现方法
空间环境中大量带电粒子的辐射效应,特别是单粒子效应,严重威胁着空间CMOS器件的可靠性.文章首先分析了数字单粒子瞬态机理和加固技术,在此基础上,针对复杂数字ASIC电路中存在的典型结构,提出了一种适合星载复杂数字ASIC的抗辐射加固电路结构.通过对标准ASIC设计方法进行改进,给出了抗辐射加固ASIC设计流程.最后实现了一款星载ASIC的研制,流片和测试结果表明了改进的ASIC实现方法的有效性.
抗辐射加固数字ASIC、单粒子效应、单粒子瞬态、设计方法
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TN3
2016-06-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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