GaN基高电子迁移率晶体管的质子辐照效应研究

摘要：

文章研究了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的质子辐照效应。在3MeV质子辐照下,采用三种不同辐照剂量6×1014,4×1014和1×1015 protons/cm2。在最高辐照剂量下,漏极饱和电流下降了20%,最大跨导降低了5%。随着剂量增加,阈值电压向正向漂移,栅泄露电流增加。 AlGaN/GaN HEMT电学特性的退化主要是由辐照引入的位移损伤引起的。从SRIM软件计算出空位密度,将Ga空位对应的能级引入Silvaco器件仿真软件中,仿真结果与实验结果相匹配。 Hall测试结果显示二维电子气(2DEG)浓度和迁移率在辐照后有所降低。

关键词：质子辐照、氮化镓高电子迁移率晶体管、Ga空位、二维电子气

分类号：TN3;O47

在线出版日期：2013-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：33-38