垂直腔面发射半导体激光器关键技术及产业化

摘要：

垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)是激光发射方向与芯片表面垂直的新型半导体激光器.VCSEL的垂直短腔结构使其阈值电流可低至毫安量级,适合配置到各种供电资源有限的便携式设备或子系统中;VCSEL可通过二维面阵结构提高输出功率,而整个阵列使用单个透镜整形即可发出平行光,满足远距离探测或照明的应用要求.

机标关键词：垂直腔面发射半导体激光器、关键技术、产业化

所属期刊栏目：16

分类号：TN248.4;O415.5;TN365

资助基金：中国科学院科技服务网络计划项目（STS）KFJ-STS-SCYD-310

在线出版日期：2021-07-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：后插1,封3