10.3772/j.issn.1673-6516.2020.08.001
开发新型相变存储材料与技术推出新一代嵌入式相变存储芯片
存储器是集成电路最重要的技术之一,是国家核心竞争力的重要体现.相变存储器(PCRAM)基于相变材料在非晶态和晶态之间的快速可逆转变实现信息存储,具有非易失性、高速、低功耗、长寿命、可三维集成以及与新型互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容等优点.
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2020-10-27(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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