10.3772/j.issn.1673-6516.2018.11.027
4″半绝缘SiC单晶生长设备及生长工艺技术研究
目前,市场上SiC基器件有光电子器件、功率器件和微波器件等三类产品,如PIN二极管、肖特基二极管、MESFET、MOSFET、晶闸管、SiC基发光二极管等.SiC器件的快速发展迫切需要价格低、直径大、品质高的SiC衬底,以降低器件的价格,提高器件的性能.
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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