10.13779/j.cnki.issn1001-0076.2022.04.003
基于天然辉钼矿制备的少层MoS2纳米片及其超电容性能研究
以天然辉钼矿为原料,采用Na+离子辅助液相剥离法制备了一种少层的MoS2纳米片(F-MoS2).分析结果表明,剥离得到的F-MoS2纳米片厚度约为1.1~1.5 nm,对应为2~3层MoS2.电化学性能测试发现,F-MoS2在0.25 A/g的电流密度下质量比容量可达到73.7 F/g,远高于未剥离的辉钼矿(9.2 F/g)和商品MoS2(19.6 F/g),F-MoS2显著提升的电容量主要归因于其充分暴露的活性表面.本研究证实了通过Na+离子辅助液相剥离法制备的F-MoS2是一类非常有应用前景的储能材料.
天然辉钼矿、二硫化钼、超级电容器、液相剥离
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TD985;TB34;TM53(选矿)
国家自然科学基金21975228
2022-11-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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