10.3969/j.issn.1673-9787.2011.01.013
一维含缺陷光子晶体异质结构的电磁传输性质
利用传输矩阵方法研究了一维含有缺陷的光子晶体异质结构的电磁传输性质.结果表明,由两种正常材料组成的一维光子晶体异质结构,由于光子局域特性,会在光子带隙内出现缺陷模.当在此异质结构界面引入一种正常材料作为缺陷层时,缺陷模的频率随着缺陷层厚度的增加向低频移动;缺陷模的电磁场在光子晶体异质结构界面和缺陷处具有很强的局域性.而当引入一磁单负材料作为缺陷时,发现此种缺陷型异质结构会出现"双模特性",两缺陷模的频率及频率间隔可以通过改变负磁导率材料缺陷层的厚度来调节,而两缺陷模的电场在光子晶体与单负材料的界面分别出现很强局域特性.这些缺陷模性质将在可调的滤波器中具有潜在的应用价值.
光子晶体、缺陷模、单负材料、传输矩阵
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O431(光学)
国家自然科学基金资助项目10904032;河南省教育厅自然科学基金资助项目20108140005;河南理工大学博士基金资助项目B2009-88;河南理工大学青年骨干教师项目649144
2011-08-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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